casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solos, Pre-polariza / RN1110MFV,L3F
Número de pieza del fabricante | RN1110MFV,L3F |
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Número de parte futuro | FT-RN1110MFV,L3F |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RN1110MFV,L3F Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | - |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 100nA (ICBO) |
Frecuencia - Transición | - |
Potencia - max | 150mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-723 |
Paquete del dispositivo del proveedor | VESM |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1110MFV,L3F Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RN1110MFV,L3F-FT |
UNR32A6G0L
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UNR32AA00L
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UNR32AAG0L
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LCMXO2-1200HC-6TG144IR1
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Intel
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Xilinx Inc.
A3P060-1FGG144I
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LCMXO256E-4M100I
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LFE3-70E-7FN672C
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