casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / RMLV0408EGSB-4S2#HA1
Número de pieza del fabricante | RMLV0408EGSB-4S2#HA1 |
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Número de parte futuro | FT-RMLV0408EGSB-4S2#HA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RMLV0408EGSB-4S2#HA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM |
Tamaño de la memoria | 4Mb (512K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 45ns |
Tiempo de acceso | 45ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 32-TSOP II |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RMLV0408EGSB-4S2#HA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RMLV0408EGSB-4S2#HA1-FT |
W631GU6KB-12 TR
Winbond Electronics
W631GU6KB-15
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W631GU6KB-15 TR
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W631GU6KB12I
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W631GU6KB12I TR
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W631GU6KB15I
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W631GU6KB15I TR
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W632GG6KB-09
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W632GG6KB-11
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W632GG6KB-11 TR
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XC2V250-6FG256C
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XC6SLX150T-2FGG676I
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ208
Microsemi Corporation
A42MX24-FPQG208
Microsemi Corporation
EP1K10TI100-2
Intel
XC7K355T-1FFG901I
Xilinx Inc.
XC7K325T-3FFG900E
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000UHE-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F40I2SGE2
Intel