casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / W632GG6KB-09
Número de pieza del fabricante | W632GG6KB-09 |
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Número de parte futuro | FT-W632GG6KB-09 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
W632GG6KB-09 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR3 |
Tamaño de la memoria | 2Gb (128M x 16) |
Frecuencia de reloj | 1066MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.425V ~ 1.575V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 96-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 96-WBGA (9x13) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W632GG6KB-09 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | W632GG6KB-09-FT |
AT25DF041A-MHF-Y
Adesto Technologies
AT25DF321A-MH-T
Adesto Technologies
AT25DQ161-MH-T
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AT45DB011D-MH-SL955
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AT45DB161E-MHD-T
Adesto Technologies
AT45DB161E-MHD-Y
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Adesto Technologies
XCV150-4FG256C
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XA3S100E-4VQG100Q
Xilinx Inc.
XC4013-5PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1VFG400
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EP2C35U484C8
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EPF10K200SFC484-2
Intel
EP4SGX290KF40I3
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A40MX04-FPLG84
Microsemi Corporation
10AX032E2F27E1HG
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel