casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / RMLV0408EGSB-4S2#HA0
Número de pieza del fabricante | RMLV0408EGSB-4S2#HA0 |
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Número de parte futuro | FT-RMLV0408EGSB-4S2#HA0 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RMLV0408EGSB-4S2#HA0 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM |
Tamaño de la memoria | 4Mb (512K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 45ns |
Tiempo de acceso | 45ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 32-TSOP II |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RMLV0408EGSB-4S2#HA0 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RMLV0408EGSB-4S2#HA0-FT |
W631GU6KB12I TR
Winbond Electronics
W631GU6KB15I
Winbond Electronics
W631GU6KB15I TR
Winbond Electronics
W632GG6KB-09
Winbond Electronics
W632GG6KB-11
Winbond Electronics
W632GG6KB-11 TR
Winbond Electronics
W632GG6KB-12
Winbond Electronics
W632GG6KB-12 TR
Winbond Electronics
W632GG6KB-15
Winbond Electronics
W632GG6KB-15 TR
Winbond Electronics
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel