casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / RM24C256C-LSNI-T
Número de pieza del fabricante | RM24C256C-LSNI-T |
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Número de parte futuro | FT-RM24C256C-LSNI-T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Mavriq™ |
RM24C256C-LSNI-T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | CBRAM® |
Tecnología | CBRAM |
Tamaño de la memoria | 256kb (64B Page Size) |
Frecuencia de reloj | 1MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 100µs, 5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | I²C |
Suministro de voltaje | 1.65V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RM24C256C-LSNI-T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RM24C256C-LSNI-T-FT |
AT45DB041E-SSHN-B
Adesto Technologies
AT45DB021E-SSHN-B
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RM24C32DS-LSNI-B
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AT25DL161-SSHN-B
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RM25C32C-BSNC-B
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RM24C128A-BSNC-T
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XA3S1600E-4FG400I
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XA3S250E-4VQG100I
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LFEC10E-3QN208I
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LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780I3N
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EP2AGZ300FF35I4N
Intel