casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / RM24C32DS-LSNI-B
Número de pieza del fabricante | RM24C32DS-LSNI-B |
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Número de parte futuro | FT-RM24C32DS-LSNI-B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Mavriq™ |
RM24C32DS-LSNI-B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | CBRAM® |
Tecnología | CBRAM |
Tamaño de la memoria | 32Kb (4K x 8) |
Frecuencia de reloj | 1MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 100µs, 2.5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | I²C |
Suministro de voltaje | 1.65V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RM24C32DS-LSNI-B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RM24C32DS-LSNI-B-FT |
AS4C4M16S-7TCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C64M8SA-7TCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C64M8SA-7TCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M16S-6TAN
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M16S-6TANTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M16S-6TCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M16S-6TCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M16S-6TIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M16S-6TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M16S-7TCN
Alliance Memory, Inc.
XA2S200E-6FT256Q
Xilinx Inc.
APA450-FG484
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-5BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40C2L
Intel
10CL025YE144I7G
Intel
XC7VX690T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5AGXBB5D4F35C5N
Intel
EP3SL150F780C2N
Intel
EPF10K200SBC356-3
Intel