casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / RL252GP-TP
Número de pieza del fabricante | RL252GP-TP |
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Número de parte futuro | FT-RL252GP-TP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RL252GP-TP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 2.5A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 2.5A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacitancia a Vr, F | 40pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | R-3, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | R-3 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RL252GP-TP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RL252GP-TP-FT |
MS109/TR12
Microsemi Corporation
MS109/TR8
Microsemi Corporation
MS109E3/TR12
Microsemi Corporation
MS109E3/TR8
Microsemi Corporation
MS110/TR12
Microsemi Corporation
MS110/TR8
Microsemi Corporation
MS110E3/TR12
Microsemi Corporation
MS110E3/TR8
Microsemi Corporation
1N6663US
Microsemi Corporation
1N5811US
Microsemi Corporation
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel