casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / RF2001NS3DTL
Número de pieza del fabricante | RF2001NS3DTL |
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Número de parte futuro | FT-RF2001NS3DTL |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RF2001NS3DTL Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 300V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 20A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | - |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | - |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 150°C (Max) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | LPDS |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RF2001NS3DTL Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RF2001NS3DTL-FT |
SMBD7000E6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS21VD,135
Nexperia USA Inc.
BAS21AVD,165
Nexperia USA Inc.
BAS21UE6327HTSA1
Infineon Technologies
IMN10T108
Rohm Semiconductor
HN2D03F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
NSVBAS21TMR6T1G
ON Semiconductor
RB731UT108
Rohm Semiconductor
BAS21VD,165
Nexperia USA Inc.
HN1D01F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3S50A-4FTG256I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-6900C-5BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-85F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60CF484I4
Intel
EP4CE10F17C6N
Intel
5SGXMB6R3F40I3LN
Intel
XC7A35T-2CSG324I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2FGG144I
Microsemi Corporation
A42MX16-PQG100
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation