casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / NSVBAS21TMR6T1G
Número de pieza del fabricante | NSVBAS21TMR6T1G |
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Número de parte futuro | FT-NSVBAS21TMR6T1G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSVBAS21TMR6T1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 3 Independent |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 250V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 200mA (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.25V @ 200mA |
Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 50ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100nA @ 200V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SC-74, SOT-457 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SC-74 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVBAS21TMR6T1G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NSVBAS21TMR6T1G-FT |
1PS181,135
NXP USA Inc.
1PS184,115
NXP USA Inc.
1PS184,135
NXP USA Inc.
1PS226,115
NXP USA Inc.
1PS226,135
NXP USA Inc.
1PS59SB14,115
NXP USA Inc.
1PS59SB15,115
NXP USA Inc.
1PS59SB16,115
NXP USA Inc.
1SS181,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS295(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC4052XL-1HQ304C
Xilinx Inc.
XC4005XL-3PQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX75-N3FGG484C
Xilinx Inc.
M1A3PE1500-FGG484
Microsemi Corporation
EPF6016AFC256-2
Intel
EP3SE80F1152I3
Intel
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation