casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / NSVBAS21TMR6T1G
Número de pieza del fabricante | NSVBAS21TMR6T1G |
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Número de parte futuro | FT-NSVBAS21TMR6T1G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSVBAS21TMR6T1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 3 Independent |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 250V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 200mA (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.25V @ 200mA |
Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 50ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100nA @ 200V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SC-74, SOT-457 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SC-74 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVBAS21TMR6T1G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NSVBAS21TMR6T1G-FT |
1PS181,135
NXP USA Inc.
1PS184,115
NXP USA Inc.
1PS184,135
NXP USA Inc.
1PS226,115
NXP USA Inc.
1PS226,135
NXP USA Inc.
1PS59SB14,115
NXP USA Inc.
1PS59SB15,115
NXP USA Inc.
1PS59SB16,115
NXP USA Inc.
1SS181,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS295(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage