casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / NSVBAS21TMR6T1G
Número de pieza del fabricante | NSVBAS21TMR6T1G |
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Número de parte futuro | FT-NSVBAS21TMR6T1G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSVBAS21TMR6T1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 3 Independent |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 250V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 200mA (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.25V @ 200mA |
Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 50ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100nA @ 200V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SC-74, SOT-457 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SC-74 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVBAS21TMR6T1G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NSVBAS21TMR6T1G-FT |
1PS181,135
NXP USA Inc.
1PS184,115
NXP USA Inc.
1PS184,135
NXP USA Inc.
1PS226,115
NXP USA Inc.
1PS226,135
NXP USA Inc.
1PS59SB14,115
NXP USA Inc.
1PS59SB15,115
NXP USA Inc.
1PS59SB16,115
NXP USA Inc.
1SS181,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS295(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
EP20K160ETC144-1X
Intel
XC6SLX45-L1FGG484C
Xilinx Inc.
AGLN250V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
EPF10K100EFC484-1N
Intel
EPF10K30AFC484-3
Intel
5SGXEA4K1F40C2N
Intel
XC7V585T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-3PQ160
Microsemi Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel
EPF10K50VBC356-4N
Intel