casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / RE1C002ZPTL
Número de pieza del fabricante | RE1C002ZPTL |
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Número de parte futuro | FT-RE1C002ZPTL |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RE1C002ZPTL Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 200mA (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 200mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 100µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 1.4nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 115pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 150mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | EMT3F (SOT-416FL) |
Paquete / Caja | SC-89, SOT-490 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RE1C002ZPTL Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RE1C002ZPTL-FT |
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