casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / RDBLS207GHC1G
Número de pieza del fabricante | RDBLS207GHC1G |
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Número de parte futuro | FT-RDBLS207GHC1G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
RDBLS207GHC1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 2A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.15V @ 2A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 2µA @ 1000V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 4-SMD, Gull Wing |
Paquete del dispositivo del proveedor | DBLS |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RDBLS207GHC1G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RDBLS207GHC1G-FT |
GBPC3510W T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBPC15005M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBPC1501M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBPC1502M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBPC1504M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBPC1506M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBPC1508M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBPC1510M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBPC25005M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBPC2501M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3S500E-5FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SE260F1517I3
Intel
XC2VP50-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U4F45E3LG
Intel
EP4SGX180DF29C2X
Intel