casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBPC2501M T0G
Número de pieza del fabricante | GBPC2501M T0G |
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Número de parte futuro | FT-GBPC2501M T0G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBPC2501M T0G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 25A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 12.5A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | QC Terminal |
Paquete / Caja | 4-Square, GBPC-M |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBPC-M |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBPC2501M T0G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBPC2501M T0G-FT |
B40C1500G-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
B125C1000G-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
B125C1500G-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
B125C800G-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
B380C800G-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
B40C1000G-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
B80C800G-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBL108S-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBL110S-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBL104S-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S200E-6PQ208C
Xilinx Inc.
EP1K10TC100-3
Intel
5SGSMD8K3F40I4N
Intel
5SGXEA7H2F35C2
Intel
EP3SL340H1152I4LN
Intel
LFE2M70SE-6FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9E6F31I7N
Intel
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP2SGX60DF780C3N
Intel