casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / R6076MNZ1C9
Número de pieza del fabricante | R6076MNZ1C9 |
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Número de parte futuro | FT-R6076MNZ1C9 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R6076MNZ1C9 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 76A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 38A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 115nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 7000pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 740W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247 |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6076MNZ1C9 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | R6076MNZ1C9-FT |
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M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
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5SGXEA5K3F40I3LN
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EP4CE6E22C8N
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5SGXEA3H2F35I3LN
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