casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / QS6U22TR
Número de pieza del fabricante | QS6U22TR |
---|---|
Número de parte futuro | FT-QS6U22TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
QS6U22TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1.5A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 215 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 3nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 270pF @ 10V |
Característica FET | Schottky Diode (Isolated) |
Disipación de potencia (max) | 1.25W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TSMT6 (SC-95) |
Paquete / Caja | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QS6U22TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | QS6U22TR-FT |
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