casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / R5011415XXZT
Número de pieza del fabricante | R5011415XXZT |
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Número de parte futuro | FT-R5011415XXZT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R5011415XXZT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard, Reverse Polarity |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1400V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 150A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | - |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 7µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 30mA @ 1400V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Stud Mount |
Paquete / Caja | DO-205AA, DO-8, Stud |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-205AA (DO-8) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 200°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R5011415XXZT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | R5011415XXZT-FT |
EG 1AV1
Sanken
EG01AV1
Sanken
EM 1AV1
Sanken
EM 1BV1
Sanken
EM 1V1
Sanken
EM 1ZV1
Sanken
EM 2BV1
Sanken
EM01AV1
Sanken
EM01V1
Sanken
EM01ZV1
Sanken
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel