Número de pieza del fabricante | EM 2BV1 |
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Número de parte futuro | FT-EM 2BV1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EM 2BV1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 800V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1.2A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 920mV @ 1.2A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 800V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EM 2BV1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EM 2BV1-FT |
SJPB-L6V
Sanken
SJPD-D5V
Sanken
SJPD-L5
Sanken
SJPD-L5V
Sanken
SJPE-H3V
Sanken
SJPE-H4V
Sanken
SJPE-H4VR
Sanken
SJPJ-D3V
Sanken
SJPJ-D3VR
Sanken
SJPJ-H3V
Sanken
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
AGL400V5-FGG484
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8N
Intel
10CL055YU484C8G
Intel
EP4SGX230KF40C3N
Intel
5SGSMD4E3H29I3LN
Intel
LCMXO640C-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45E2LG
Intel
10AX032E2F29E1HG
Intel