casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / R1WV6416RSD-5SI#S0
Número de pieza del fabricante | R1WV6416RSD-5SI#S0 |
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Número de parte futuro | FT-R1WV6416RSD-5SI#S0 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R1WV6416RSD-5SI#S0 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM |
Tamaño de la memoria | 64Mb (8M x 8, 4M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 55ns |
Tiempo de acceso | 55ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 52-TSOP II |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R1WV6416RSD-5SI#S0 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | R1WV6416RSD-5SI#S0-FT |
BR25L020FV-WE2
Rohm Semiconductor
BR25L020FVT-WE2
Rohm Semiconductor
BR25L040FV-WE2
Rohm Semiconductor
BR25L040FVT-WE2
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BR25L080FV-WE2
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BR25L080FVT-WE2
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BR25L160FV-WE2
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BR25L160FVT-WE2
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BR93L56RFV-WE2
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BR93L66FV-WE2
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LFEC10E-4Q208C
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LFXP2-30E-6FN484I
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EP2S60F1020I4
Intel