casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / R1EX24512BSAS0I#S0
Número de pieza del fabricante | R1EX24512BSAS0I#S0 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-R1EX24512BSAS0I#S0 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R1EX24512BSAS0I#S0 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 512Kb (64K x 8) |
Frecuencia de reloj | 1MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | 550ns |
interfaz de memoria | I²C |
Suministro de voltaje | 1.8V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R1EX24512BSAS0I#S0 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | R1EX24512BSAS0I#S0-FT |
BR24L04FVT-WE2
Rohm Semiconductor
BR24S08FVT-WE2
Rohm Semiconductor
BR24T02FVT-WE2
Rohm Semiconductor
BR24T02FVT-WGE2
Rohm Semiconductor
BR24T08FVT-WE2
Rohm Semiconductor
BR25G128FVT-3GE2
Rohm Semiconductor
BR25G320FVT-3GE2
Rohm Semiconductor
BR25G640FVT-3GE2
Rohm Semiconductor
BR34E02FVT-3E2
Rohm Semiconductor
BR34L02FV-WE2
Rohm Semiconductor
LCMXO2280E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S200-4PQG208Q
Xilinx Inc.
AX125-FG256I
Microsemi Corporation
5CGXFC7D6F27I7N
Intel
5SGSMD6K1F40I2N
Intel
5SGXEA4K3F35I3N
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
A40MX04-2PL84I
Microsemi Corporation
ICE40HX8K-CT256
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX360FF35C2XN
Intel