casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / BR25G640FVT-3GE2
Número de pieza del fabricante | BR25G640FVT-3GE2 |
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Número de parte futuro | FT-BR25G640FVT-3GE2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BR25G640FVT-3GE2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 64Kb (8K x 8) |
Frecuencia de reloj | 20MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 1.6V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-TSSOP-B |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR25G640FVT-3GE2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BR25G640FVT-3GE2-FT |
BR24T128NUX-WTR
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