casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / QRC3310002
Número de pieza del fabricante | QRC3310002 |
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Número de parte futuro | FT-QRC3310002 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
QRC3310002 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 3300V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 90A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 4.3V @ 100A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 1.2µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5mA @ 3300V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | - |
Tipo de montaje | Screw Mount |
Paquete / Caja | Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | Module |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QRC3310002 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | QRC3310002-FT |
MSAD100-08
Microsemi Corporation
MSAD100-12
Microsemi Corporation
MSAD100-18
Microsemi Corporation
MSAD120-08
Microsemi Corporation
MSAD120-12
Microsemi Corporation
MSAD120-18
Microsemi Corporation
MSAD165-08
Microsemi Corporation
MSAD165-12
Microsemi Corporation
MSAD165-18
Microsemi Corporation
MSAD200-08
Microsemi Corporation
EP2C5T144I8
Intel
A1020B-2PQG100I
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EP3SL50F484C3N
Intel
5SGXEA7K2F40I2N
Intel
EP2AGX45DF25C6
Intel
XC4028EX-3HQ208C
Xilinx Inc.
LFXP20C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP3SE80F780C4N
Intel