casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / MSAD100-12
Número de pieza del fabricante | MSAD100-12 |
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Número de parte futuro | FT-MSAD100-12 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MSAD100-12 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Anode |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1200V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 100A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.35V @ 300A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5mA @ 1200V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | - |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | D1 |
Paquete del dispositivo del proveedor | D1 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSAD100-12 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MSAD100-12-FT |
MBRB30H35CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H45CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H50CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H50CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H50CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H60CT-1H
ON Semiconductor
MBRB30H60CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H90CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H90CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB41H100CT-1H
ON Semiconductor
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
Intel
EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel