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QJD1210010 Image

Powerex Inc. QJD1210010

Número de pieza de MFG
QJD1210010
Cantidad disponible
68270 Piezas
Precio de referencia
USD 0
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Fecha de envío
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fabricante
Powerex Inc.
Breve descripción
- MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
QJD1210010 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Característica FET Silicon Carbide (SiC)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 1200V (1.2kV)
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 100A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 10mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 500nC @ 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 10200pF @ 800V
Potencia - max 1080W
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / Caja Module
Paquete del dispositivo del proveedor Module
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
QJD1210010 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto QJD1210010-FT

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