casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / FMM110-015X2F
Número de pieza del fabricante | FMM110-015X2F |
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Número de parte futuro | FT-FMM110-015X2F |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ |
FMM110-015X2F Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Standard |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 150V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 53A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 55A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 8600pF @ 25V |
Potencia - max | 180W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | i4-Pac™-5 |
Paquete del dispositivo del proveedor | ISOPLUS i4-PAC™ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FMM110-015X2F Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FMM110-015X2F-FT |
APTM20DHM10G
Microsemi Corporation
APTM20DHM16T3G
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XC7K70T-2FBG676C
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A3PE600-1PQ208I
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LCMXO640E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K05AL-1AQC
Microchip Technology
5SGSMD5H3F35I4
Intel
XC6SLX16-N3CSG324C
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144
Microsemi Corporation
5CGTFD7C5U19C7N
Intel
EP2AGX260EF29C5
Intel