casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, Pre-polar / PUMH9,135
Número de pieza del fabricante | PUMH9,135 |
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Número de parte futuro | FT-PUMH9,135 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PUMH9,135 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 47 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 5mA, 5V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 1µA |
Frecuencia - Transición | - |
Potencia - max | 300mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-TSSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PUMH9,135 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PUMH9,135-FT |
PRMD10Z
Nexperia USA Inc.
PRMD12Z
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PRMD13Z
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PRMD16Z
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PRMD2Z
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A40MX02-2VQ80
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XC6SLX16-L1FTG256I
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EPF10K100AFC484-1
Intel
5SGXMA7K2F40I3LN
Intel
5SGXEB6R3F40C3
Intel
5SGSMD4E1H29I2N
Intel
5SGXMA3E2H29C3N
Intel
10M50DCF672I7G
Intel
EP4SE530H35C3
Intel
LFE2M35E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation