casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, Pre-polar / PRMD3Z
Número de pieza del fabricante | PRMD3Z |
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Número de parte futuro | FT-PRMD3Z |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
PRMD3Z Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 10 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 1µA |
Frecuencia - Transición | 230MHz |
Potencia - max | 480mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-XFDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | DFN1412-6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PRMD3Z Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PRMD3Z-FT |
EMF21-7
Diodes Incorporated
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10CX150YF672I5G
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XA7S25-1CSGA225I
Xilinx Inc.
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LFEC15E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
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