casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PSMN7R6-60PS,127
Número de pieza del fabricante | PSMN7R6-60PS,127 |
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Número de parte futuro | FT-PSMN7R6-60PS,127 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PSMN7R6-60PS,127 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 92A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.8 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 38.7nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2651pF @ 30V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 149W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN7R6-60PS,127 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PSMN7R6-60PS,127-FT |
NDFP03N150CG
ON Semiconductor
NDFPD1N150CG
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NTMFD4951NFT3G
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FDWS9509L-F085
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LCMXO1200E-5T144C
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A1020B-2PQ100C
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XC6SLX9-2FT256I
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A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
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5SGSED6K2F40C3N
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EP4CE10E22C9L
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LFE3-70E-8FN484I
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EP20K600EBC652-1X
Intel