casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NTMFD4952NFT1G
Número de pieza del fabricante | NTMFD4952NFT1G |
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Número de parte futuro | FT-NTMFD4952NFT1G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTMFD4952NFT1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | - |
Tecnología | - |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | - |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | - |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | - |
Temperatura de funcionamiento | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical) |
Paquete / Caja | 8-PowerTDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTMFD4952NFT1G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NTMFD4952NFT1G-FT |
R6025FNZ1C9
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