casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PSMN5R8-40YS,115
Número de pieza del fabricante | PSMN5R8-40YS,115 |
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Número de parte futuro | FT-PSMN5R8-40YS,115 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PSMN5R8-40YS,115 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 90A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 28.8nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1703pF @ 20V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 89W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | LFPAK56, Power-SO8 |
Paquete / Caja | SC-100, SOT-669 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN5R8-40YS,115 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PSMN5R8-40YS,115-FT |
PMT760EN,135
NXP USA Inc.
PMCM440VNEZ
Nexperia USA Inc.
FDZ661PZ
ON Semiconductor
FDZ371PZ
ON Semiconductor
FDZ375P
ON Semiconductor
FDZ663P
ON Semiconductor
PMZB290UNE2YL
Nexperia USA Inc.
PMZB150UNEYL
Nexperia USA Inc.
PMZB200UNEYL
Nexperia USA Inc.
PMZB290UN,315
Nexperia USA Inc.
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
5SGXMA7N1F40C2N
Intel
5SGXEA7N1F45I2N
Intel
5SGXMB5R1F43C1N
Intel
EP4CGX15BF14I7N
Intel
XC6VLX195T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
Intel