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PMZB200UNEYL Image

Nexperia USA Inc. PMZB200UNEYL

Número de pieza de MFG
PMZB200UNEYL
Cantidad disponible
67650 Piezas
Precio de referencia
USD 0.058288
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Fecha de envío
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fabricante
Nexperia USA Inc.
Breve descripción
- MOSFET N-CH 30V SOT883
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
PMZB200UNEYL Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 1.4A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250 mOhm @ 1.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 2.7nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 89pF @ 15V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor DFN1006B-3
Paquete / Caja 3-XFDFN
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PMZB200UNEYL Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto PMZB200UNEYL-FT

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