casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PSMN1R8-40YLC,115
Número de pieza del fabricante | PSMN1R8-40YLC,115 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-PSMN1R8-40YLC,115 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PSMN1R8-40YLC,115 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.95V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 96nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 6680pF @ 20V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 272W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | LFPAK56, Power-SO8 |
Paquete / Caja | SC-100, SOT-669 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN1R8-40YLC,115 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PSMN1R8-40YLC,115-FT |
BUK9Y19-55B,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y19-55B/C2,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y21-40E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y22-100E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y22-30B,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y25-60E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y25-80E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y27-40B,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y29-40E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y30-75B,115
Nexperia USA Inc.
A54SX32-1TQ144M
Microsemi Corporation
LFXP3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-2FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-4SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-85F-7BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
EP2C15AF484C8N
Intel
5SGXEB6R3F40I3L
Intel
XC4036XL-3HQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-L1CSG324C
Xilinx Inc.