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PMT760EN,115 Image

NXP USA Inc. PMT760EN,115

Número de pieza de MFG
PMT760EN,115
Cantidad disponible
85970 Piezas
Precio de referencia
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fabricante
NXP USA Inc.
Breve descripción
- MOSFET N-CH 100V SC-73
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
PMT760EN,115 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 900mA (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950 mOhm @ 800mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 160pF @ 80V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 800mW (Ta), 6.2W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-223
Paquete / Caja TO-261-4, TO-261AA
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PMT760EN,115 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto PMT760EN,115-FT

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