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NXP USA Inc. PHK12NQ10T,518

Name: PHK12NQ10T,518
Brand: NXP USA Inc.
SKU: PHK12NQ10T,518
Availability: InStock
Rating: 4.9 (360 reviews)

Número de pieza de MFG: PHK12NQ10T,518

Cantidad disponible: 16040 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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fabricante: NXP USA Inc.

Breve descripción: TrenchMOS™ MOSFET N-CH 100V 11.6A SOT96-1

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: PHK12NQ10T,518.pdf

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PHK12NQ10T,518 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	PHK12NQ10T,518
Número de parte futuro	FT-PHK12NQ10T,518
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TrenchMOS™
PHK12NQ10T,518 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	11.6A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	28 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	35nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1965pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	8.9W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SO
Paquete / Caja	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PHK12NQ10T,518 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	PHK12NQ10T,518-FT

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