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NXP USA Inc. PMPB12UN,115

Número de pieza de MFG
PMPB12UN,115
Cantidad disponible
49390 Piezas
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fabricante
NXP USA Inc.
Breve descripción
- MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
PMPB12UN,115 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 7.9A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18 mOhm @ 7.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 886pF @ 10V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor 6-DFN2020MD (2x2)
Paquete / Caja 6-UDFN Exposed Pad
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PMPB12UN,115 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto PMPB12UN,115-FT

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