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NXP USA Inc. PMN55LN,135
- Número de pieza de MFG
- PMN55LN,135
- Cantidad disponible
- 62820 Piezas
- Precio de referencia
- USD 0
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- fabricante
- NXP USA Inc.
- Breve descripción
- TrenchMOS™ MOSFET N-CH 20V 4.1A 6TSOP
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- PMN55LN,135.pdf
PMN55LN,135 Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | PMN55LN,135 |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-PMN55LN,135 |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | TrenchMOS™ |
| PMN55LN,135 Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4.1A (Tc) |
| Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 2.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 13.1nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 500pF @ 20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (max) | 1.75W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete del dispositivo del proveedor | 6-TSOP |
| Paquete / Caja | SC-74, SOT-457 |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| PMN55LN,135 Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | PMN55LN,135-FT |
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