casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PMN55ENEX
Número de pieza del fabricante | PMN55ENEX |
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Número de parte futuro | FT-PMN55ENEX |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
PMN55ENEX Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4.5A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 3.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 646pF @ 30V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 560mW (Ta), 6.25mW (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-TSOP |
Paquete / Caja | SC-74, SOT-457 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMN55ENEX Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PMN55ENEX-FT |
SN7002NL6433HTMA1
Infineon Technologies
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