casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PMN23UN,165
Número de pieza del fabricante | PMN23UN,165 |
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Número de parte futuro | FT-PMN23UN,165 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
PMN23UN,165 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6.3A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 10.6nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 740pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.75W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-TSOP |
Paquete / Caja | SC-74, SOT-457 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMN23UN,165 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PMN23UN,165-FT |
SI2308DS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2309DS-T1-E3
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SI2311DS-T1-E3
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SI2311DS-T1-GE3
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SI2321DS-T1-E3
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SI2323CDS-T1-GE3
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SI2323DDS-T1-GE3
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SI2323DS-T1-GE3
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