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NXP USA Inc. PMN23UN,165

Número de pieza de MFG
PMN23UN,165
Cantidad disponible
87500 Piezas
Precio de referencia
USD 0
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Fecha de envío
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fabricante
NXP USA Inc.
Breve descripción
TrenchMOS™ MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-PMN23UN,165
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie TrenchMOS™
PMN23UN,165 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 6.3A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 10.6nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 740pF @ 10V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 1.75W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor 6-TSOP
Paquete / Caja SC-74, SOT-457
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PMN23UN,165 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto PMN23UN,165-FT

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