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ON Semiconductor NVTFS6H888NTAG

Name: NVTFS6H888NTAG
Brand: ON Semiconductor
SKU: NVTFS6H888NTAG
Price: 0.541592 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (601 reviews)

Número de pieza de MFG: NVTFS6H888NTAG

Cantidad disponible: 30730 Piezas

Precio de referencia: USD 0.541592

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: Automotive, AEC-Q101 T8 80V U8FL

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: NVTFS6H888NTAG.pdf

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NVTFS6H888NTAG Presupuesto

Número de pieza del fabricante	NVTFS6H888NTAG
Número de parte futuro	FT-NVTFS6H888NTAG
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101
NVTFS6H888NTAG Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	80V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	4.7A (Ta), 12A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	55 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 15µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	4.7nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	220pF @ 40V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	2.9W (Ta), 18W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	8-WDFN (3.3x3.3)
Paquete / Caja	8-PowerWDFN
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVTFS6H888NTAG Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	NVTFS6H888NTAG-FT

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