casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NTTFS5116PLTAG
Número de pieza del fabricante | NTTFS5116PLTAG |
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Número de parte futuro | FT-NTTFS5116PLTAG |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTTFS5116PLTAG Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 5.7A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1258pF @ 30V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.2W (Ta), 40W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-WDFN (3.3x3.3) |
Paquete / Caja | 8-PowerWDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTTFS5116PLTAG Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NTTFS5116PLTAG-FT |
NTD60N02R-035
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FCH165N65S3R0-F155
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