casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NVMFS5C468NLWFT3G
Número de pieza del fabricante | NVMFS5C468NLWFT3G |
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Número de parte futuro | FT-NVMFS5C468NLWFT3G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NVMFS5C468NLWFT3G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | - |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.3 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 7.3nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 570pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.5W (Ta), 28W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Paquete / Caja | 8-PowerTDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVMFS5C468NLWFT3G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NVMFS5C468NLWFT3G-FT |
NVMFS5832NLWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5832NLWFT3G
ON Semiconductor
NVMFS5833NT1G
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NVMFS5833NT3G
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NVMFS5833NWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5833NWFT3G
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NVMFS5834NLT3G
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NVMFS5834NLWFT3G
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NVMFS5844NLT1G
ON Semiconductor
NVMFS5844NLT3G
ON Semiconductor
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
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LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel