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ON Semiconductor NVMFS5832NLWFT1G

Número de pieza de MFG
NVMFS5832NLWFT1G
Cantidad disponible
13110 Piezas
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fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
- MOSFET N-CH 40V 120A SO8FL
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
NVMFS5832NLWFT1G Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 21A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 51nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2700pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 3.7W (Ta), 127W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquete / Caja 8-PowerTDFN
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVMFS5832NLWFT1G Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto NVMFS5832NLWFT1G-FT

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