casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NVMFS5C468NLT3G
Número de pieza del fabricante | NVMFS5C468NLT3G |
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Número de parte futuro | FT-NVMFS5C468NLT3G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NVMFS5C468NLT3G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | - |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.3 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 7.3nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 570pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.5W (Ta), 28W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Paquete / Caja | 8-PowerTDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVMFS5C468NLT3G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NVMFS5C468NLT3G-FT |
NVMFS5830NLWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5830NLWFT3G
ON Semiconductor
NVMFS5832NLT3G
ON Semiconductor
NVMFS5832NLWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5832NLWFT3G
ON Semiconductor
NVMFS5833NT1G
ON Semiconductor
NVMFS5833NT3G
ON Semiconductor
NVMFS5833NWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5833NWFT3G
ON Semiconductor
NVMFS5834NLT3G
ON Semiconductor
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel