casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NVMFS5C460NLT3G
Número de pieza del fabricante | NVMFS5C460NLT3G |
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Número de parte futuro | FT-NVMFS5C460NLT3G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NVMFS5C460NLT3G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | - |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 35A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1300pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.6W (Ta), 50W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Paquete / Caja | 8-PowerTDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVMFS5C460NLT3G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NVMFS5C460NLT3G-FT |
NVMFS5826NLT3G
ON Semiconductor
NVMFS5826NLWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5826NLWFT3G
ON Semiconductor
NVMFS5830NLT1G
ON Semiconductor
NVMFS5830NLT3G
ON Semiconductor
NVMFS5830NLWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5830NLWFT3G
ON Semiconductor
NVMFS5832NLT3G
ON Semiconductor
NVMFS5832NLWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5832NLWFT3G
ON Semiconductor
XC3S1600E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
Intel
5SGXEA3K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F40C2LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
Intel