casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NVMFS5A140PLZWFT3G

| Número de pieza del fabricante | NVMFS5A140PLZWFT3G |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-NVMFS5A140PLZWFT3G |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | Automotive, AEC-Q101 |
| NVMFS5A140PLZWFT3G Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 20A (Ta), 140A (Tc) |
| Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2 mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 1mA |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 136nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 7400pF @ 20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (max) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete del dispositivo del proveedor | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Paquete / Caja | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| NVMFS5A140PLZWFT3G Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | NVMFS5A140PLZWFT3G-FT |

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