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ON Semiconductor NVMFS4C01NWFT3G

Name: NVMFS4C01NWFT3G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NVMFS4C01NWFT3G
Price: 0.854912 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (161 reviews)

Número de pieza de MFG: NVMFS4C01NWFT3G

Cantidad disponible: 12550 Piezas

Precio de referencia: USD 0.854912

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: - MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: NVMFS4C01NWFT3G.pdf

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Número de pieza del fabricante	NVMFS4C01NWFT3G
Número de parte futuro	FT-NVMFS4C01NWFT3G
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
NVMFS4C01NWFT3G Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Not For New Designs
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	49A (Ta), 319A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	139nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	10144pF @ 15V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	3.84W (Ta), 161W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquete / Caja	8-PowerTDFN
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVMFS4C01NWFT3G Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	NVMFS4C01NWFT3G-FT

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