casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NVHL027N65S3F
Número de pieza del fabricante | NVHL027N65S3F |
---|---|
Número de parte futuro | FT-NVHL027N65S3F |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NVHL027N65S3F Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | - |
Tecnología | - |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 650V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | - |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | - |
Temperatura de funcionamiento | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247-3 |
Paquete / Caja | TO-247-3 Variant |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVHL027N65S3F Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NVHL027N65S3F-FT |
NDT02N60ZT1G
ON Semiconductor
NDT02N60ZT3G
ON Semiconductor
NILMS4501NR2
ON Semiconductor
NILMS4501NR2G
ON Semiconductor
NP100N04PUK-E1-AY
Renesas Electronics America
NP100N055PUK-E1-AY
Renesas Electronics America
NP109N04PUG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP109N04PUJ-E2B-AY
Renesas Electronics America
NP109N04PUK-E1-AY
Renesas Electronics America
NP109N055PUJ-E2B-AY
Renesas Electronics America
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
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AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel