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ON Semiconductor NDT02N60ZT1G

Número de pieza de MFG
NDT02N60ZT1G
Cantidad disponible
57580 Piezas
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fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
- MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
NDT02N60ZT1G Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 300mA (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 Ohm @ 700mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 7.4nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 170pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 2W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-223 (TO-261)
Paquete / Caja TO-261-4, TO-261AA
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NDT02N60ZT1G Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto NDT02N60ZT1G-FT

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