casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / JANTX2N6770
Número de pieza del fabricante | JANTX2N6770 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-JANTX2N6770 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/543 |
JANTX2N6770 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 500V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 12A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 4W (Ta), 150W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-3 |
Paquete / Caja | TO-204AE |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTX2N6770 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | JANTX2N6770-FT |
IXTM50N20
IXYS
IXTM5N100
IXYS
IXTM5N100A
IXYS
IXTM67N10
IXYS
IXTM6N90A
IXYS
IXTM9226
IXYS
IXTP28N15P
IXYS
IXTV02N250S
IXYS
IXTV03N400S
IXYS
IXTV102N20T
IXYS
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel