casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXTM6N90A
Número de pieza del fabricante | IXTM6N90A |
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Número de parte futuro | FT-IXTM6N90A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IXTM6N90A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Last Time Buy |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 900V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2600pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 180W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-204AA |
Paquete / Caja | TO-204AA, TO-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTM6N90A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXTM6N90A-FT |
IXFL60N60
IXYS
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5SGXEA5K1F35I2N
Intel
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation