casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NVD5C478NLT4G
Número de pieza del fabricante | NVD5C478NLT4G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-NVD5C478NLT4G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
NVD5C478NLT4G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 14A (Ta), 45A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.7 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 30µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1100pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3W (Ta), 30W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | DPAK (SINGLE GAUGE) |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVD5C478NLT4G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NVD5C478NLT4G-FT |
3LN01M-TL-E
ON Semiconductor
3LN01M-TL-H
ON Semiconductor
3LP01M-TL-E
ON Semiconductor
3LP01M-TL-H
ON Semiconductor
5HN01M-TL-E
ON Semiconductor
5HN01M-TL-H
ON Semiconductor
5HP01M-TL-E
ON Semiconductor
5HP01M-TL-H
ON Semiconductor
5LN01M-TL-E
ON Semiconductor
5LN01M-TL-H
ON Semiconductor
EP20K100ETC144-1N
Intel
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
10AX027E4F29I3SG
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation