casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / 5HN01M-TL-H
Número de pieza del fabricante | 5HN01M-TL-H |
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Número de parte futuro | FT-5HN01M-TL-H |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
5HN01M-TL-H Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 50V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100mA (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 Ohm @ 50mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 1.4nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 6.2pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 150mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 3-MCP |
Paquete / Caja | SC-70, SOT-323 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
5HN01M-TL-H Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 5HN01M-TL-H-FT |
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